Intel、次世代半導体プロセス「18A」の技術概要を解説

Intelは同社の最先端半導体製造プロセス「Intel 18A」について、その技術的な特徴を解説するコンテンツを公開した。18AはIntel Foundryが展開する先端プロセスノードの一つで、AIアクセラレータをはじめとする次世代チップの製造に用いられることが想定されている。

2つの技術的ブレークスルー

18Aの核となるのは「RibbonFET」と呼ばれる新型トランジスタ構造と、「PowerVia」という電力供給アーキテクチャの組み合わせだ。RibbonFETはIntelにとって初となるゲートオールアラウンド（GAA）型トランジスタで、従来のFinFET構造に比べてチャネル制御性を高め、より高い性能と電力効率を実現するとされる。

PowerViaは、電源供給用の配線をチップの裏面に配置する裏面電力供給技術であり、信号用配線と電力供給用配線を分離することで、配線の混雑を緩和し、電圧降下の低減やセル密度の向上に寄与するとされている。

AI向けチップへの意義

AIモデルの学習・推論には高性能かつ電力効率の高い半導体が不可欠であり、18Aのようなプロセス技術の進化は、AIアクセラレータやGPU、SoCの性能向上に直結する。IntelはFoundryビジネスを通じて18Aを外部顧客にも提供する方針を示しており、AI半導体市場における競争力強化を目指している。